Semiconductor (Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC)

📈 Calidad Superficial - 72% mejor en el rectificado basto | ⚙️ Vida útil de la Herramienta - mejor expulsión de partículas cerámicas
  • Dificultades en el Mecanizado
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¿Qué hace que el Carburo de Silicio (SiC) sea difícil de mecanizar?



El carburo de silicio (SiC) tiene una calificación de dureza Mohs de 9, y es una elección de material excepcional para componentes mecánicos de alta precisión.

Este material posee una excelente estabilidad química y mecánica con resistencia a altas temperaturas y choques térmicos, lo que también lo convierte en un material ideal para productos de fabricación de semiconductores, como sustratos de SiC, susceptores de obleas de SiC, transportadores de obleas de SiC, E-chucks de SiC, etc.

Sin embargo, debido a la alta dureza y fragilidad del carburo de silicio, el riesgo del (interpolación helicoidal) mecanizado en rampa circular de carburo de silicio reside en una mala calidad superficial con rugosidad superficial deficiente y marcas de herramienta masivas. Si las fuerzas de rectificado no están bien controladas (debido a la acumulación seria de residuos de material cerámico en los poros de la herramienta de rectificado) durante el proceso, este requerirá más tiempo en el proceso de vestidor de la herramienta de rectificado, lo que resultará en una calidad de pieza dañada y una vida útil deficiente de la herramienta.



 
 

☑️ (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC): Información de Mecanizado

 
    (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC): Información de Mecanizado     
  Material   Carburo de Silicio (SiC)
  Característica   Φ27 x 1mm
 
*tamaño de la pieza: Φ110mm
  Proceso   (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular_rectificado basto  
  Portaherramienta Ultrasónicos           BT30-R04-10
  Parámetros de Mecanizado   (Interpolación Helicoidal) S 10,000rpm; F 200mm/min; paso 0.01mm
  (Mecanizado en Rampa Circular) S 10,000rpm; F 400mm/min; Profundidad de corte radial (Ae) 0.04mm; Profundidad de corte axial (Ap) 1mm
  Herramienta   #150 Φ6mm herramienta de rectificado de diamante con unión metálica  


 

El módulo de mecanizado ultrasónico HIT BT30 se utilizó en el (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio
(Figura 1. El módulo de mecanizado ultrasónico HIT BT30 se utilizó en el (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio)


(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT en la fabricación de suscepsores de obleas
(Figura 2. (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT en la fabricación de suscepsores de obleas)



 

La meta de HIT en el (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC)


A través de la tecnología de mecanizado asistido por ultrasonido de HIT, el objetivo es mejorar la rugosidad superficial de la pieza, al tiempo que se reduce el desgaste de la herramienta en el (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio.




 

Resultados de (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC) asistido por ultrasonido de HIT

 

(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC): Rugosidad Superficial de la Pieza

(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT mejoró significativamente la rugosidad superficial de la pieza con la mitigación de las marcas de herramienta
(Figura 3. (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT mejoró significativamente la rugosidad superficial de la pieza con la mitigación de las marcas de herramienta)

 
  • Con HIT ultrasonido, la microvibración de alta frecuencia ayudó a reducir las fuerzas de rectificado. Esto resultó en una gran mejora en la rugosidad superficial (Sa) de la pieza y la mitigación de las marcas de herramienta. La calidad de la pieza se mejoró en un 72%.
  • La tecnología de mecanizado asistido por ultrasonido en el proceso de rectificado basto ayudó a mejorar la rugosidad superficial y las marcas de herramienta. Esto permitió la reducción del tiempo de post-proceso, lo que también aumentó la eficiencia de mecanizado.



(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT ayudó a mejorar la calidad de la pieza en un 72% con una rugosidad superficial mejorada
(Figura 4. (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT ayudó a mejorar la calidad de la pieza en un 72% con una rugosidad superficial mejorada)



 

(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC): Vida útil de la Herramienta

(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT proporcionó una mejor evacuación de partículas cerámicas, evitando la acumulación de residuos de material cerámico en la herramienta
(Figura 5. (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio asistido por ultrasonido de HIT proporcionó una mejor evacuación de partículas cerámicas, evitando la acumulación de residuos de material cerámico en la herramienta)

 
  • Con HIT ultrasonido, se proporcionó a la herramienta una microvibración de alta frecuencia en la dirección del eje Z. Durante el proceso de rectificado, la constante elevación de la herramienta de la pieza de trabajo facilitó el flujo de fluido de corte. Esto ayudó a una mejor evacuación de partículas cerámicas, lo que evitó la acumulación de residuos de material cerámico en la herramienta de rectificado.
  • La acumulación mucho menor y más lenta de residuos de material cerámico en la herramienta de rectificado ayudó a reducir las fuerzas de rectificado. Esto no solo resultó en menos desgaste de la herramienta, sino también en una mayor calidad superficial.




 

Logros Tecnológicos del Mecanizado Ultrasonido de HIT



📈 Calidad Superficial - 72% mejor en el rectificado basto
⚙️ Vida útil de la Herramienta - mejor expulsión de partículas cerámicas




 

(Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC): Aplicación Industrial



El (Interpolación Helicoidal) Mecanizado en Rampa Circular de Carburo de Silicio (SiC) se aplica en la industria de Semiconductores, especialmente utilizado como susceptores de obleas de SiC dentro del proceso MOCVD.


El carburo de silicio (SiC) tiene una calificación de dureza Mohs de 9, y es una elección de material excepcional para componentes mecánicos de alta precisión.

Este material posee una excelente estabilidad química y mecánica con resistencia a altas temperaturas y choques térmicos, lo que también lo convierte en un material ideal para productos de fabricación de semiconductores, como sustratos de SiC, susceptores de obleas de SiC, transportadores de obleas de SiC, E-chucks de SiC, etc.

Dentro de la cámara del reactor MOCVD, los susceptores de obleas de SiC se utilizan para transportar los sustratos. Los susceptores absorben la energía térmica para ayudar en el crecimiento de la película. Por lo tanto, la calidad del producto de los susceptores tendrá una influencia directa en la calidad de la epilámina de semiconductor.


¡Aquí es cuando el Módulo de Mecanizado Ultrasónico de HIT llegó para ayudar! HIT ofrece una solución integral en el mecanizado de materiales avanzados. Con la asistencia de la Tecnología de Mecanizado Ultrasónico de HIT, los clientes dejaron de preocuparse por la mala calidad de las piezas mientras intentaban acelerar el tiempo de procesamiento. La eficiencia de mecanizado puede mejorar enormemente mientras se mejora la calidad superficial y la estabilidad en la vida útil de la herramienta. ¡HIT asegura a sus clientes que no solo cumplirá con sus requisitos, sino que también logrará resultados aún mejores!





💡 Introducción al Mecanizado Ultrasónico de Materiales Avanzados para Semiconductores de HIT: