Halbleiter Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC)

📈 Oberflächenqualität - 72% Verbesserung der Oberflächenrauheit (Sa) beim Grobschleifen | ⚙️ Werkzeug Lebensdauer - Besseres Ausspülen von Keramikpartikeln
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Was macht Siliziumcarbid (SiC) schwer zu bearbeiten?



Siliziumcarbid (SiC) hat eine Mohshärte von 9 und ist eine außergewöhnliche Materialwahl für hochpräzise mechanische Komponenten.

Dieses Material zeichnet sich durch ausgezeichnete chemische und mechanische Stabilität sowie hohe Temperatur- und Temperaturschockbeständigkeit aus, was es auch zu einem idealen Material für Halbleiterfertigungskomponenten wie SiC-Wafer-Substrate, SiC-Wafer-Suszeptoren, SiC-Waferträger, SiC-elektrostatische Spannfutter (E-Spannfutter) usw. macht.

Aufgrund der hohen Härte und Sprödigkeit von Siliziumcarbid (SiC) besteht jedoch das Risiko von (Spiralinterpolation) Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid in einer schlechten Oberflächenqualität mit grober Oberflächenrauheit und massiven Werkzeugspuren. Wenn die Schleifkräfte nicht gut kontrolliert werden (aufgrund ernsthafter Ansammlung von Keramikmaterialrückständen in den Poren des Schleifwerkzeugs), würde der Prozess mehr Zeit in Anspruch nehmen beim Abrichten des Schleifwerkzeugs, was zu beschädigter Werkstückqualität und geringerer Werkzeugstandzeit führen würde.


 
 

☑️ Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC): Bearbeitungsinformationen

 
    Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC): Bearbeitungsinformationen     
  Material   Siliziumcarbid (SiC)
  Merkmale (Abmessungen)   Φ27 x 1mm
  *Größe des Werkstücks: Φ110mm
  Prozess   (Spiralinterpolation) Spiralförmiges Schrägeintauchen_Grobschleifen  
  Werkzeughalter Ultraschall             BT30-R04-10
  Bearbeitungsparameter     (Spiralinterpolation) S 10.000min-1; F 200mm/min; Steigung 0,01mm

  (Spiralförmiges Schrägeintauchen) S 10.000min-1; F 400mm/min; Radiale Schnitttiefe (Ae) 0,04mm; Axiale Schnitttiefe (Ap) 1mm
  Werkzeug   #150 Φ6mm Diamant-Schleifwerkzeug mit Metallbindung  


 
HIT BT30 Ultraschall-Bearbeitungsmodul wurde beim Spiralförmigen Schrägeintauchen von Siliziumcarbid verwendet
(Bild 1. HIT BT30 Ultraschall-Bearbeitungsmodul wurde beim Spiralförmigen Schrägeintauchen von Siliziumcarbid verwendet)



HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid bei der Herstellung von Wafer-Suszeptoren
(Bild 2. HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid bei der Herstellung von Wafer-Suszeptoren)



 

HITs Ziel beim Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC)


Durch die Unterstützung der HIT Ultraschall-unterstützten Bearbeitungstechnologie ist das Ziel, die Oberflächenrauheit des Werkstücks zu verbessern und gleichzeitig den Werkzeugverschleiß beim Spiralförmigen Schrägeintauchen von Siliziumcarbid zu reduzieren.




 

Ergebnisse des Ultraschallunterstützten Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC)

 

Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC): Werkstückqualität

HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid hat die Oberflächenrauheit des Werkstücks erheblich verbessert und Werkzeugspuren gemildert
(Bild 3. HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid hat die Oberflächenrauheit des Werkstücks erheblich verbessert und Werkzeugspuren gemildert)

 
  • Mit HIT Ultraschall wurde die hohe Frequenzmikrovibration verwendet, um die Schleifkräfte zu reduzieren. Dies führte zu einer erheblichen Verbesserung der Oberflächenrauheit (Sa) des Werkstücks und einer Milderung der Werkzeugspuren. Die Werkstückqualität wurde um 72% verbessert.
  • Die Ultraschall-unterstützte Bearbeitungstechnologie im Grobschleifenprozess half, die Oberflächenrauheit und Werkzeugspuren zu verbessern. Dies ermöglichte eine Reduzierung der Nachbearbeitungszeit, was auch die Bearbeitungseffizienz erhöhte.



HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid half, die Werkstückqualität um 72% mit verbesserter Oberflächenrauheit zu steigern
(Bild 4. HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid half, die Werkstückqualität um 72% mit verbesserter Oberflächenrauheit zu steigern)



 

Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC): Werkzeug Lebensdauer

HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid brachte Besseres Ausspülen von Keramikpartikeln, was verhinderte, dass sich am Werkzeug Keramikmaterialablagerungen ansammeln
(Bild 5. HIT Ultraschall-unterstütztes Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid brachte Besseres Ausspülen von Keramikpartikeln, was verhinderte, dass sich am Werkzeug Keramikmaterialablagerungen ansammeln)

 
  • Mit HIT Ultraschall wurde dem Werkzeug eine hohe Frequenzmikrovibration in Z-Achsen-Richtung verliehen. Während des Schleifprozesses hob sich das Werkzeug ständig vom Werkstück ab und ermöglichte einen einfacheren Zufluss von Kühlschmierstoff. Dies trug zu einem Besseren Ausspülen von Keramikpartikeln bei, was verhinderte, dass sich Keramikmaterialablagerungen am Schleifwerkzeug ansammelten.
  • Durch die deutlich geringere und langsamere Ansammlung von Keramikmaterialablagerungen am Schleifwerkzeug wurden die Schleifkräfte reduziert. Dies führte nicht nur zu weniger Werkzeugverschleiß, sondern auch zu einer höheren Oberflächenqualität.




 

Errungenschaften der HIT-Ultraschall Bearbeitungs Technologie



📈 Oberflächenqualität - 72% Verbesserung der Oberflächenrauheit (Sa) beim Grobschleifen
⚙️ Werkzeug Lebensdauer - Besseres Ausspülen von Keramikpartikeln

 

Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC): Branchenanwendung



Spiralförmiges Schrägeintauchen von Siliziumcarbid (SiC) wird in der Halbleiter industrie angewendet, insbesondere als SiC-Wafer-Suszeptoren im Metalloorganischen Chemischen Gasphasenabscheidungsprozess (MOCVD).


Siliziumcarbid (SiC) hat eine Mohs-Härte von 9 und ist eine außergewöhnliche Materialwahl für hochpräzise mechanische Komponenten.

Dieses Material zeichnet sich durch ausgezeichnete chemische und mechanische Stabilität sowie hohe Temperatur- und Temperaturschockbeständigkeit aus, was es auch zu einem idealen Material für Halbleiterfertigungskomponenten wie SiC-Wafer-Substrate, SiC-Wafer-Suszeptoren, SiC-Waferträger, SiC-elektrostatische Spannfutter (E-Spannfutter) usw. macht.

Im Reaktionskammer des Metalloorganischen Chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses (MOCVD) werden SiC-Wafer-Suszeptoren verwendet, um die Substrate zu tragen. Die Suszeptoren absorbieren thermische Energie, um das Wachstum von Filmen zu unterstützen. Daher hat die Produktqualität der Suszeptoren direkten Einfluss auf die Qualität der Halbleiter-Epischicht.


In diesem Zusammenhang kommt das Ultraschall Bearbeitungs Modul von HIT zum Einsatz! HIT bietet eine umfassende Lösung für die Bearbeitung von fortschrittlichen Materialien an. Mit Hilfe der Ultraschall Bearbeitungs Technologie von HIT hörten die Kunden auf, sich über eine schlechte Werkstückqualität Gedanken zu machen, während sie versuchten, die Bearbeitungszeit zu verkürzen. Die Bearbeitungseffizienz kann erheblich gesteigert werden, während die Oberflächenqualität und die Standzeit des Werkzeugs verbessert werden. HIT versichert seinen Kunden nicht nur, ihre Anforderungen zu erfüllen, sondern auch noch bessere Ergebnisse zu erzielen!




💡 Einführung in die HIT-Ultraschallbearbeitung von Hochleistungswerkstoffen