(图1. 使用汉鼎HBT30超声波模块辅助碳化硅SiC平面研磨加工)
【汉鼎超声波】碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：测试目标
通过汉鼎HBT30超声波辅助加工模块，对碳化硅（SiC）进行平面研磨加工测试，目标是缩短整体制程时间，减少刀具磨损，同时维持优异的工件质量。
【汉鼎超声波】碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：加工结果
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：加工效率
(图2. 使用汉鼎HBT30超声波模块辅助碳化硅SiC平面研磨加工, 加工过程中刀具无须修锐, 总制程时间缩短近2倍)
- 使用汉鼎超声波辅助加工，经过参数优化后，配合超声波高频率Z轴方向微振动，刀具在加工过程中反复提刀，间接性接触工件，有效排除研磨过程中产生的陶瓷粉尘，使磨头气孔不易被陶瓷积屑填塞，因此整个加工过程中无需进行刀具修整，大幅缩短了近2倍的总制程时间。
- 在相同参数配置下进行无超声波加工时，由于刀具长时间接触工件，容易导致陶瓷粉尘的二次研磨，加速磨头气孔被陶瓷积屑严重填塞，磨头的磨削力显著下降，因此需要频繁进行刀具修整才能继续研磨加工。不仅加速了刀具的磨损，还严重影响了工件质量。本次测试中，无超声波加工需进行4次刀具修整，显著延长了总制程时间。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：工件质量
(图3. 汉鼎超声波辅助碳化硅SiC平面研磨加工, 工件边角平滑完整, 刀具受力均匀, 刀痕纹路大小一致)
- 使用汉鼎超声波辅助加工，通过高频率Z轴方向微振动，陶瓷粉尘能够顺利排除，磨棒气孔不易被积屑填塞，降低了磨削时的阻力。在加工过程中，刀具受力稳定，工件表面呈现大小一致的刀痕纹路，同时有效减少了脆裂边的产生，工件边角平滑且完整。
- 相比之下，无超声波加工因刀具长时间接触工件，陶瓷粉尘容易发生二次研磨，导致磨头气孔被积屑严重填塞，磨削阻力过大。加工过程中，刀具受力不均，工件表面出现大小不一的刀痕，边角也出现了严重的脆裂边。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：刀具寿命
(图4. 汉鼎超声波辅助碳化硅SiC平面研磨加工，高频微振动有效排屑，磨棒气孔不易积屑，加工过程中无需修整)
- 汉鼎超声波辅助加工通过高频率Z轴方向微振动，陶瓷粉尘能够顺利排除，磨棒气孔不易被积屑填塞。在磨棒积屑填入速度缓慢的情况下，当磨粒钝化后，受力增加触发自修整机制，使新金刚石颗粒露出，从而实现持续加工。超声波辅助加工成功改善了积屑问题，加工过程中无需进行刀具修整，刀具的总磨损仅来源于正常加工时的磨损量。
- 在相同参数配置下，无超声波加工时，刀具长时间接触工件，陶瓷粉尘发生二次研磨，磨削阻力显著增加。即便磨粒钝化后触发自修整机制，但由于积屑过快填塞气孔，加速刀具磨损，自修整机制无法有效恢复磨削力。本次测试中，无超声波加工需进行4次刀具修整，刀具总磨损量大幅增加。
(图5. 使用汉鼎HBT30超声波模块辅助碳化硅SiC平面研磨加工, 磨头气孔不易积屑, 因此加工过程中无需修整, 刀具磨损量减少近4倍)
【汉鼎超声波】碳化硅（Silicon Carbide，SiC）平面研磨加工：超声波效益
🕜 加工效率 - 縮短近2倍总制程时间
📈 工件质量 - 大幅减少脆裂边
⚙️ 刀具寿命 - 减少近4倍刀具磨损量