半導體 碳化矽(SiC):螺旋擴孔研磨加工

📈 工件品質 - 改善表面粗糙度 (Sa) 72% | ⚙️ 刀具壽命 - 改善刀具積屑問題
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碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:加工痛點



碳化矽(SiC, Silicon Carbide)材料的硬度僅次於金剛石和碳化硼,具高硬度高耐磨性。碳化矽材料在化學、機械上性能穩定,其低耗能、高功率、耐高溫、耐腐蝕及耐磨耗的特性,使其成為熱門的第三代半導體材料之一。

在半導體MOCVD反應腔體中,使用碳化矽承載盤來承載基板,承載盤必須有效吸收熱能幫助薄膜成長,並避免與氣體發生反應,因此承載盤的產品品質會直接影響到半導體薄膜磊晶層的品質。

然而,碳化矽的高硬度材料特性為許多加工業者帶來極大的挑戰。尤其針對碳化矽晶圓承載盤工件的螺旋擴孔研磨加工,若沒有適當的排屑機制,容易造成磨棒氣孔嚴重填塞陶瓷粉塵,影響磨削的自修銳機制,使磨棒的磨削力大幅下降,刀具磨耗增加,磨削阻力也增加,容易導致表面粗糙度不佳.可能影響到晶圓製程的整體產品良率。


 
 

☑️ 碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工資訊

 
    碳化矽(Silicon Carbide,SiC)加工資訊          
  材料   碳化矽(Silicon Carbide, SiC)
  特徵   Φ27 x 1mm_擴孔
 
*工件尺寸 Φ110mm
  工法   螺旋擴孔研磨加工  (粗磨)
  超音波刀把         BT30-R04-10 大振幅刀把
  加工參數   (繞孔) S10,000rpm; F200mm/min; pitch 0.01mm   
  (擴孔) S10,000rpm; F400mm/min; Ae 0.04mm; Ap 1mm    
  選用刀具              #150 Φ6mm 金屬法鑽石磨棒                                                  

 

使用漢鼎BT30模組輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工
(圖1. 使用漢鼎BT30模組輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工)


漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 目視下改善加工面刀痕
(圖2. 漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 目視下改善加工面刀痕)


 

【漢鼎超音波】碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:測試目標 


針對碳化矽(Silicon Carbide,SiC)的超音波輔助螺旋擴孔研磨加工測試,目標為透過超音波輔助磨削機制,在粗磨製程中,改善工件加工面之表面粗糙度,同時降低刀具磨耗,以幫助客戶提升效率、品質,並降低生產成本。





 

【漢鼎超音波】碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:加工結果 

 

碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:工件品質

漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 工件表面粗糙度(Sa)改善72%, 且有效改善刀痕
(圖3. 漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 工件表面粗糙度(Sa)改善72%, 且有效改善刀痕)

 
  • 使用漢鼎超音波輔助磨削加工,高頻率微振動幫助降低磨削時的阻力,有效改善工件加工面之表面粗糙度(Sa)及刀痕,工件表面品質提升72%
  • 超音波輔助磨削加工,粗磨製程即可改善表面粗糙度與刀痕,減少後續製程處理時間,提升加工效率。




使用漢鼎BT30模組輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 於粗磨製程工件表面粗糙度(Sa)降低72%, 除了提升工件品質外, 也減少後續製程處理時間
(圖4. 使用漢鼎BT30模組輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 於粗磨製程工件表面粗糙度(Sa)降低72%, 除了提升工件品質外, 也減少後續製程處理時間)




 

碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:刀具壽命

漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 改善磨棒積屑問題, 有效降低刀具磨耗
(圖5. 漢鼎超音波輔助碳化矽SiC螺旋擴孔研磨加工, 改善磨棒積屑問題, 有效降低刀具磨耗)

 
  • 使用漢鼎超音波輔助磨削加工,提供刀具Z軸方向的微振動,加工時,刀具反覆提刀,使切削液更容易流入,幫助排屑,有效改善磨棒積屑問題。
  • 磨棒不易積屑,磨削阻力下降,除了降低刀具磨耗之外,也提升工件表面品質。




 

【漢鼎超音波】碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:超音波效益 



📈 工件品質 - 改善表面粗糙度 (Sa) 72%
⚙️ 刀具壽命 - 改善刀具積屑問題


 

碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨加工:產業應用



碳化矽(Silicon Carbide,SiC)螺旋擴孔研磨特徵經常應用在半導體產業,特別是用在MOCVD製程中,作為SiC晶圓承載盤(Wafer Susceptor)


碳化矽(Silicon Carbide,SiC)的莫氏硬度約為9,僅次於金剛石和碳化硼,具高硬度高耐磨性。碳化矽材料在化學、機械上性能穩定,其低耗能、高功率、耐高溫、耐腐蝕及耐磨耗的特性,使其成為熱門的第三代半導體材料之一。

在半導體相關製程(如蝕刻、薄膜等),常使用碳化矽作為製程腔體內精密零組件(如showerheads、基板、靜電吸盤、晶圓座、晶圓承載盤等)的材料。在MOCVD反應腔體中,使用碳化矽承載盤來承載基板,承載盤必須有效吸收熱能幫助薄膜成長,並避免與氣體發生反應,因此承載盤的產品品質會直接影響到半導體薄膜磊晶層的品質。



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