Halbleiter Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche

🕜 Effizienz - 3-mal höher | 📈 Qualität - 1,4-mal besser
  • Schwierigkeiten im Verarbeitungsprozess
  • Vorteile des Ultraschall-Bearbeitens
  • Industrielle Anwendung
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Was macht Siliciumcarbid (SiC) schwer zu bearbeiten?



SiC (Siliciumcarbid) hat eine Mohs-Härte von 9 und ist ein herausragendes Material für hochpräzise mechanische Bauteile.

Dieses Material besitzt ausgezeichnete chemische und mechanische Stabilität sowie eine hohe Temperatur- und Thermoschockbeständigkeit, was es auch zu einem idealen Werkstoff für Halbleiterfertigungskomponenten wie SiC-Substrate, SiC-Wafer-Suszeptoren, SiC-Waferträger, SiC-E-Chucks usw. macht.

Aufgrund der hohen Härte und Sprödigkeit von Siliciumcarbid besteht jedoch beim Schleifen von SiC das Risiko einer schlechten Oberflächen- und Kantenqualität mit großen Absplitterungen und Kantenrissen. Wenn die Schleifkräfte während des Prozesses nicht gut kontrolliert werden, ist der Prozess extrem zeitaufwendig und die Werkstückqualität mangelhaft.

 

☑️ Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Bearbeitungsinformationen

 
    Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Bearbeitungsinformationen        
  Material   Gesintertes SiC
  Merkmale (Abmessungen)   Gekrümmte Oberfläche (Grobschleifen): geschichtet, kugelförmig    
  Werkzeughalter Ultraschall           HSKE40-R02-06



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HIT-Ultraschall-Prozesslösung angewendet auf das Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von Siliciumcarbid
(Bild 1. HIT-Ultraschall-Prozesslösung angewendet auf das Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von Siliciumcarbid)


 

HIT's Ziel beim Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche


Mit Unterstützung der HIT-Ultraschallbearbeitungstechnologie ist das Ziel, die Gesamtprozesszeit zu reduzieren und gleichzeitig die Werkstückqualität zu verbessern, indem die Größe der Kantenrisse am SiC-Werkstück verringert wird.



 

Ultraschallunterstütztes Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Bearbeitungsergebnisse

 

Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Bearbeitungseffizienz

Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC brachte durch Erhöhung der Vorschubgeschwindigkeit eine 3-mal höhere Bearbeitungseffizienz
(Bild 2. Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC brachte durch Erhöhung der Vorschubgeschwindigkeit eine 3-mal höhere Bearbeitungseffizienz)


Einsatz der HIT-Ultraschall-Prozesslösung für das Grobschleifen von SiC: 
  • Mit HIT-Ultraschall half die hochfrequente Mikrovibration, die Schleifkraft zu reduzieren.
  • Dies ermöglichte eine Verbesserung der Bearbeitungsparameter. Die Bearbeitungseffizienz wurde gesteigert, nachdem die Vorschubgeschwindigkeit im Vergleich zum ursprünglichen Prozess um das Dreifache erhöht wurde.


 

Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Werkstückqualität

Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC half, die Größe der Kantenrisse am Werkstück zu verringern
(Bild 3. Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC half, die Größe der Kantenrisse am Werkstück zu verringern)


Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC brachte eine bessere Werkstückqualität mit kleineren Kantenrissen im Vergleich zu Prozessen ohne Ultraschall
(Bild 4. Das ultraschallunterstützte Grobschleifen gekrümmter Oberflächen von SiC brachte eine bessere Werkstückqualität mit kleineren Kantenrissen im Vergleich zu Prozessen ohne Ultraschall)

 
  • Die Verringerung der Schleifkraft half, die Größe der Kantenrisse am SiC-Werkstück zu kontrollieren und zu reduzieren, was zu einer Verbesserung der Werkstückqualität führte.
  • Die Rissgröße war 1,4-mal kleiner als ohne Ultraschall bei denselben Bearbeitungsparametern (F 200mm/min).



 

Erfolge der HIT-Ultraschallbearbeitungstechnologie beim Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche


🕜 Effizienz - 3-mal höher (Erhöhung der Vorschubgeschwindigkeit)
📈 Qualität - 1,4-mal besser (kleinere Kantenrisse)



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Schleifen von Siliciumcarbid (SiC) mit gekrümmter Oberfläche: Industrielle Anwendung



Schleifen von SiC (Siliciumcarbid) findet Anwendung in der Halbleiterindustrie, insbesondere bei SiC-Wafer-Suszeptoren, SiC-Waferträgern, SiC-E-Chucks (Elektrostatik-Chucks) usw. – als Schlüsselkomponenten für die Halbleiterfertigung in MOCVD-, Ätz- und Dünnschichtprozessen.


SiC (Siliciumcarbid) hat eine Mohs-Härte von 9 und ist ein herausragendes Material für hochpräzise mechanische Bauteile.

Dieses Material besitzt ausgezeichnete chemische und mechanische Stabilität sowie eine hohe Temperatur- und Thermoschockbeständigkeit, was es zu einem idealen Material für Halbleiterfertigungskomponenten wie SiC-Substrate, SiC-Wafer-Suszeptoren, SiC-Waferträger, SiC-E-Chucks usw. macht. Da Prozessstabilität, Produktqualität und Ausbeute in der Halbleiterindustrie von höchster Bedeutung sind, unterliegen die Kammerkomponenten, die direkten Kontakt mit dem Wafer haben, extrem hohen und strengen Qualitätsanforderungen.

Aufgrund der hohen Härte und Sprödigkeit von Siliciumcarbid besteht jedoch beim Schleifen von SiC das Risiko einer schlechten Oberflächen- und Kantenqualität mit großen Absplitterungen und Kantenrissen. Wenn die Schleifkräfte während des Prozesses nicht gut kontrolliert werden, ist der Prozess extrem zeitaufwendig und die Werkstückqualität mangelhaft.


Genau hier kommt das Ultraschall-Bearbeitungs Modul von HIT ins Spiel! HIT bietet eine umfassende Lösung für die Bearbeitung von Hochleistungsmaterialien. Mit der Unterstützung der Ultraschall Bearbeitungs Technologie von HIT müssen sich Kunden keine Sorgen mehr um schlechte Werkstückqualität machen, während sie gleichzeitig die Bearbeitungszeit verkürzen. Die Bearbeitungseffizienz kann erheblich gesteigert werden, während die Werkstückqualität durch weniger Kantenrisse verbessert wird. HIT versichert seinen Kunden nicht nur, ihre Anforderungen zu erfüllen, sondern sogar noch bessere Ergebnisse zu erzielen!



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