半導體碳化矽(SiC)：曲面磨削(粗加工)

🕜 加工效率 - 提升3倍 | 📈 工件品質 - 提升1.4倍

加工困難點
加工實際成效
用途與產業應用
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- 加工困難點

碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：加工痛點

碳化矽（SiC, Silicon Carbide）材料的硬度僅次於金剛石和碳化硼，具高硬度及高耐磨性。碳化矽材料在化學、機械上性能穩定，其低耗能、高功率、耐高溫、耐腐蝕及耐磨耗的特性，使其成為熱門的第三代半導體材料之一。

在半導體MOCVD反應腔體中，使用碳化矽承載盤來承載基板，承載盤必須有效吸收熱能幫助薄膜成長，並避免與氣體發生反應，因此承載盤的產品品質會直接影響到半導體薄膜磊晶層的品質。

然而，碳化矽的高硬度材料特性為許多加工業者帶來極大的挑戰。尤其針對碳化矽晶圓承載盤工件的磨削加工，碳化矽的高硬度特性，使其加工極為耗時，且若沒有適當控制磨削阻力，容易導致工件脆裂嚴重，影響到晶圓製程的整體產品良率。

☑️ 碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：加工資訊

	碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：加工資訊
材料	燒結式碳化矽（Sintered SiC）
特徵	曲面磨削（粗加工）- 階級、球體
超音波刀把	HSKE40-R02-06

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- 加工實際成效

(圖1. 漢鼎超音波製程解決方案應用於碳化矽SiC曲面磨削粗加工)

【漢鼎超音波】碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：測試目標

針對碳化矽（Silicon Carbide，SiC）的超音波輔助曲面磨削加工，目標為透過超音波輔助磨削機制，在粗磨製程中，提升加工效率，同時減少工件脆裂，以改善工件品質。

【漢鼎超音波】碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：加工結果

碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：加工效率

(圖2. 漢鼎超音波製程解決方案應用於碳化矽SiC曲面磨削粗加工, 加工參數可加以優化, 進給率提升超過3倍, 帶來3倍加工效率的提升)

針對碳化矽材料的粗磨削製程導入漢鼎超音波製程解決方案：

超音波提供刀具的高頻率微振動，幫助降低磨削阻力。
幫助加工參數獲得優化的空間。相較原始製程，可透過進給率的提高，達到3倍整體加工效率的提升。

碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：工件品質

(圖3. 漢鼎超音波製程解決方案應用於碳化矽SiC曲面磨削粗加工, 相同參數下, 相較無超音波, 可幫助減少工件脆裂邊)

(圖4. 漢鼎超音波製程解決方案應用於碳化矽SiC曲面磨削粗加工, 相同參數下, 相較無超音波, 脆裂邊的減少幫助提升1.4倍工件品質)

磨削阻力的降低，可幫助控制並減少碳化矽工件的脆裂，使工件品質獲得改善。
使用相同參數加工，相較無超音波，脆裂邊減少1.4倍。

【漢鼎超音波】碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：超音波效益

🕜 加工效率 - 提升3倍
📈 工件品質 - 提升1.4倍

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- 用途與產業應用

碳化矽(SiC)曲面磨削(粗加工)：產業應用

碳化矽（Silicon Carbide，SiC）研磨特徵經常應用在半導體產業，特別是用在MOCVD製程中，作為SiC晶圓承載盤（Wafer Susceptor）。

碳化矽（Silicon Carbide，SiC）的莫氏硬度約為9，僅次於金剛石和碳化硼，具高硬度及高耐磨性。碳化矽材料在化學、機械上性能穩定，其低耗能、高功率、耐高溫、耐腐蝕及耐磨耗的特性，使其成為熱門的第三代半導體材料之一。

在半導體相關製程（如蝕刻、薄膜等），常使用碳化矽作為製程腔體內精密零組件（如showerheads、基板、靜電吸盤、晶圓座、晶圓承載盤等）的材料。在MOCVD反應腔體中，使用碳化矽承載盤來承載基板，承載盤必須有效吸收熱能幫助薄膜成長，並避免與氣體發生反應，因此承載盤的產品品質會直接影響到半導體薄膜磊晶層的品質。

漢鼎智慧科技的超音波加工模組為新材料的加工帶來全新的解決方案！漢鼎的超音波輔助加工技術可以達到有效提升加工效率，節省整體加工時間，同時幫助降低磨削阻力，有效減少工件脆裂，擁有穩定的工件品質。不僅符合客戶端需求之標準，更能為客戶創造出多重價值！

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